S-D4006-C黑龍江

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金屬氧化物在常溫下是絕緣體， 制成半導體后卻顯示氣敏特性， 其機理是比較復雜的。 但是，這種氣敏元件接觸氣體時，由于表面吸附氣體，致使它的電阻率發生明顯的變化卻 是肯定的。這種對氣體的吸附可分為物理吸附和化學吸附。在常溫下主要是物理吸附，是 氣體與氣敏材料表面上分子的吸附，它們之間沒有電子交換，不形成化學鍵。若氣敏電阻 溫度升高，化學吸附增加，在某一溫度時達到大值。化學吸附是氣體與氣敏材料表面建 立離子吸附，它們之間有電子的交換，存在化學鍵力。若氣敏電阻的溫度再升高，由于解 吸作用，兩種吸附同時減小。例如，用氧化錫（SnO2）制成的氣敏電阻，在常溫下吸附某 種氣體后，其電阻率變化不大，表明此時是物理吸附。若保持這種氣體濃度不變，該元件 的電導率隨元件本身溫度的升高而增加，尤其在 100~300℃范圍內電導率變化很大，表明 此溫度范圍內化學吸附作用大.

柵極正電壓 的變化對IGBT的開通特性、負載短路能力和dVcE／dt電流有較大影響。

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