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　　能源問題正日益成為性問題，我國在太陽能光伏產業的核心技術已于水平，而用于太陽能的主要材料——多晶硅，它的清洗潔凈程度直接影響到太陽能電池的成品率和性能。用超聲波清洗的目的主要是清除多晶硅表面的沾污，如微粒，有機物，無機金屬離子、氧化層等雜質。多晶硅表面吸附雜質的主要原因是，多晶硅表面原子垂直向上的化學鍵被破壞成為懸空鍵，在多晶硅表面形成自由力場，極易吸附各種雜質。這些雜質和多晶硅之間迅速形成化學吸附，難以去除。在生產多晶硅的生產工藝過程中，其中的一個重要環節，是采用超聲波清洗應用技術。

　　產品結構

　　多晶硅超聲波清洗要結構特點：

　　1、采用三套獨立的電腦控制機械臂自動化作業

　　2、采用第三代，全面完善的防酸防腐措施，保護到機器每一個角落

　　3、全自動補液

　　4、獨特的硅片干燥前處理技術，保證硅片干燥不留任何水痕

　　5、成熟的硅片干燥工藝，多種先進技術集于一身

　　6、彩色大屏幕人機界面操作，方便參數設置多工藝方式轉換

　　產品特點

　　多晶硅超聲波清洗機具有以下特點：

　　1、械手或多機械手組合，實現工位工藝要求。

　　2、PLC全程序控制與觸摸屏操作界面，操作便利。

　　3、自動上下料臺，準確上卸工件。

　　4、凈化烘干槽，獨特的烘干前處理技術，工作干燥無水漬。

　　5、全封閉外殼與抽風系統，確保良好工作環境。

　　6、具備拋動清洗功能，保證清洗均勻。

　　7、全封閉清洗均勻。

　　8、全封閉外殼與抽風系統，確保良好工作環境。

　　工藝流程

　　自動上料→去離子水+超聲波清洗+振動篩拋動→堿液+超聲波清洗+拋動→去離子水+超聲波清洗+拋動→堿液+超聲波清洗+拋動→堿液+超聲波清洗+拋動→去離子水+超聲波清洗+拋動+溢流→去離子水+超聲波清洗+拋動+溢流→自動下料

　　應用范圍

　　多晶硅超聲波清洗加工設備，可廣泛用于IC生產及半導體元器件生產中晶片的濕法化學工藝。該設備可有效去除晶片表面的有機物、顆粒、金屬雜質、自然氧化層及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破壞晶片表面特性。

　　爐前(RCA)清洗：擴散前清洗

　　光刻后清洗：除去光刻膠。

　　氧化前自動清洗：氧化前去掉硅片表面所胡的沾污物。

　　拋光后自動清洗：除去切、磨、拋的沾污。

　　外延前清洗：除去埋層擴散后的SiO2及表面污物。

　　合金前、表面鈍化前清洗：除去鋁布線后，表面雜質及光膠殘渣。

　　離子注入后的清洗：除去光刻膠，SiO2層。

　　擴散預淀積后清洗：除去預淀積時的BSG和PSG。

　　CVD后清洗：除去CVD過程中的顆粒。

　　附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物。

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